术语

CE：片选，大致来说，一个DIE(die:晶圆上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名叫做die，封装后就成为一个颗粒)有一个CE，多CE的 单片闪存，就是多管芯的闪存，相当于一片闪存那么大的地方，装下了不止一片闪存，特别是BGA的板子，能实现单片双通道，就是这个原理。

通道数：通道数取决于主控IC的设计，一般现在的3.0板子都是双通道板子(还有坑爹的916单通道),也就是说支持双通道需要：主控的支持加上电路板的设计。理论上通道数翻倍，速度翻倍，TSOP的板子，一般来说，一面就是一个通道，多管芯的 TSOP 闪存，一般也只能单通道。尽量双贴。

DDR 、Toggle：它俩可以用约等于，”同步“，同步闪存 速度比 异步闪存快了很多，尽量选用支持 同步模式的 闪存，一般来说，DDR 需要在量产的时候勾选，但是Toggle 是 默认开启的，不需要特殊操作。
interleave ： 交错操作，简单的把U盘的存储过程分解，可以解释为：

第一步：数据发到存储总线、存储总线 到 NAND Flash；
第二步就是反过来，interleave模式 就是 一个CE在 执行 第一步的时候，另一个CE 可以同时的 执行第二步，interleave 的等级，取决于 一个通道上的闪存的 CE数。

东芝闪存(日本)

东芝（Toshiba），是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成。

闪存命名规则

图解

对于东芝闪存来说，所有闪存部件都以字母T开头，分为TC58和TH58两种，前者代表单芯片封装（颗粒内只有一个闪存die），后者代表多芯片封装（颗粒内有多于1个die）。

五位“T”代表闪存接口类型为Toggle：一种由东芝和三星领导的闪存接口标准，区别于美光和海力士提出的ONFI标准。

第六位的“F”代表闪存工作的Vcc电压为2.35V3.6V、VccQ电压为2.7V3.6V或1.7V~1.95V。

第七和第八位需要连同在一起来看，代表闪存颗粒的容量，T0对应的是1T比特，也就是128GB。

第九位的“T“代表8 Level（3bit/cell），即TLC类型。

第十位的2代表Page页大小为16KB。

第11和第12位连在一起表达封装形式，TA表示使用无铅、无卤素环保工艺的TSOP封装。右数倒数第二位的“2”代表单闪存通道、2个CE引脚。

旺宏MXIC(中国台湾)

MXIC 36nm NAND Flash，1GB闪存

Foresee江波龙(中国深圳)

FORESEE 江波龙 FS33ND01GS108TFI0 1Gib NAND 闪存颗粒

ESMT晶豪科技(中国台湾)

晶豪ESMT M15T1G1664A，DDR3 1Gb 内存